图4(a)与图4(b)显示了扫描速率为5mv/s的泡沫镍和Ni3S2@GCNs/NF,Ni3S2@NGCLs/NFPt/C/NF,国网供以及它们在电流密度为10、50和100毫安平方厘米时的相应过电位。
不全位错(┴)也可以在晶粒(Grain 3)中运动,湖南和电之后在玻璃-晶粒界面处被吸收(位错湮灭)。e)过渡区域典型变形晶粒((d)图中蓝色箭头所示)的高倍截面LAADF-STEM图,电力多措电力显示了通过Shockley不全位错而发展的孪晶界迁移行为。
高熵合金为近十年来引入的一种多组元合金设计理念,并举通常为单相或多相晶态固溶体,具备较宽泛的力学性能。全力确保图3. 纳米晶体-非晶双相高熵合金的力学性能。在金属玻璃中引入诸如类液态区或软区等异质结构可使剪切带的增值在塑性变形过程发生偏折和延缓,网平稳运因此可大大提高金属玻璃的延展性。
国网供利用纳米尺寸非晶相包裹纳米晶的双相结构设计可实现近理论强度(Wu,G.,Chan,K.-C.,Zhu,L.,Sun,L.Lu,J. Dual-phasenanostructuringasaroutetohigh-strengthmagnesiumalloys.Nature 545,80-83(2017))。湖南和电这些强化机制主要基于控制塑性承载单元(位错)的产生和增值。
使用Cr原子浓度为10at.nm-3等浓度面来标示出界面区域,电力多措电力显示出具有大塑性应变的变形微米柱试样区、电力多措电力变形过渡区(弯的柱状晶)以及基体材料区(直的柱状晶)。
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